Молодой ученый Института нанотехнологий, электроники и приборостроения Южного федерального университета, доцент кафедры нанотехнологий и микросистемной техники и сотрудник НОЦ «Нанотехнологии», к.т.н. Максим Солодовник принял участие в XX Международной конференции по молекулярно-пучковой эпитаксии (IC MBE 2018), проходившей в Китае в начале сентября.
Так, Конференция является крупнейшим международным научным мероприятием в области физики процессов и технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, а также одним из крупнейших – в области полупроводниковых наногетероструктур и приборов на их основе Мероприятие проводится каждые два года и регулярно собирает свыше 450 представителей ведущих мировых школ, научно-исследовательских и производственных центров.
Максим Солодовник из ЮФУ выступил с докладами «Molecular beam epitaxy of In/AlGaAs droplet nanostructures» и «Simulation of the droplet epitaxial growth of indium nanostructures on the patterned GaAs substrates». Он представил результаты, полученные в рамках проекта Российского научного фонда N15-19-10006 «Эпитаксиальные гетероструктуры с регулярными массивами самоорганизующихся наноструктур А3В5».
Участие в конференции позволяет обсудить с лучшими отечественными и зарубежными учеными результаты исследований, связанных с проблемами управляемого синтеза наноструктур и построения на их основе перспективных элементов одно- и нанофотоники и наноэлектроники, а также и наметить траекторию дальнейшего развития данной тематики.